Количество ранков оперативной памяти что это

Словарь терминов: Оперативная память

Общие характеристики

Тип оперативной памяти, который определяет главные характеристики памяти и внутреннюю структуру. Сегодня выпускается пять главных типа оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM – синхронная динамическая память, имеющая случайный доступ. Плюсы по сравнению с памятью более старших поколений: синхронизация с системным генератором, это дает возможность контроллеру памяти знать конкретное время готовности данных, с помощью этого новшества временные задержки в процессе циклов ожидания снижаются из-за того, что данные свободны для доступна во время каждого такта таймера. Раньше SDRAM активно применялась в компьютерах, однако в настоящее время почти полностью вытеснена DDR и DDR2.
DDR SDRAM – синхронная динамическая память, имеющая случайный доступ и характеризующаяся удвоенной скоростью передачи информации. Плюсы DDR SDRAM перед SDRAM: за один такт системного генератора возможно проведение двух операций с информацией, что увеличивает в два раза пиковую пропускную способность при работе на одинаковой частоте.
DDR2 SDRAM – следующее за DDR поколение памяти. Принцип работы подобен тому, что применяется в DDR. Отличие: имеется возможность выборки за один такт 4-х бит данных (для DDR производится 2-х битная выборка), увеличена рабочая частота, снижено энергопотребление модулей памяти, снижено тепловыделение.
DDR3 SDRAM – следующее DDR2 SDRAM поколение памяти, применяется та же технология “удвоения частоты”. Главное отличие от DDR2: возможность работать на большей частоте. Модули DDR3 имеют в наличии 240 контактных площадок, однако они несовместимы со старыми слотами, так как применяются другие ориентирующие прорези (“ключи”).
RIMM (Rambus DRAM, RDRAM) – это разработанная фирмой Rambus синхронная динамическая память. Главные отличия от DDR-памяти: увеличение тактовой частоты путем снижения разрядности шины, одновременная передача при обращении к памяти номера столбца и строки ячейки. RDRAM стоит значительно дороже DDR, причем при аналогичной производительности, это привело к тому, что данный тип памяти почти полностью покинул рынок.
Определяясь с типом памяти, ориентируйтесь в первую очередь на возможности материнской платы вашего компьютера, а также на ее совместимость с разными модулями памяти.

Форм-фактор

Стандарт модуля оперативной памяти. Форм-фактор (стандарт) определяет габариты модуля памяти, а также число контактов и их расположение. Бывает несколько абсолютно несовместимых стандартов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM – на модулях памяти этого стандарта зачастую располагаются 72 или 30 контактов, каждый из этих контактов оснащен выходом на две стороны платы памяти.
DIMM – модули памяти стандарта DIMM, обычно они имеют 240, 200, 184 или 168 независимых контактных площадок, контактные площадки размещаются по две стороны платы памяти.
DDR2 FB-DIMM – модули памяти этого стандарта применяются в серверах. Механически они подобны модулям памяти DIMM 240-pin, однако совершенно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти Registered DDR2 DIMM и DDR2 DIMM.
SODIMM – компактный вариант DIMM, обычно применяется в Tablet PC и ноутбуках. Чаще всего имеет 72, 144, 168, 200 контактов.
MicroDIMM – один из вариантов DIMM для субноутбуков и ноутбуков. Габариты имеет меньше, чем SODIMM, характеризуется наличием 60 контактных площадок.
RIMM – стандарт для модулей памяти типа RIMM (RDRAM), характеризуется наличием 184, 168 или 242 контактов.
Стандарт модуля оперативной памяти и стандарт, который поддерживает материнская плата, должны совпадать.

Объем одного модуля

от 0.03125 до 128 Гб

Объем памяти, который имеет один модуль. Общий объем памяти системы можно рассчитать, сложив объемы памяти всех установленных модулей. Для комфортной работы в офисных программах и сети интернет хватит 512 Мб. Для нормальной работы с офисными приложениями, а также с графическими редакторами хватит 1 Гб (1024 Мб) оперативной памяти. Работать в сложных графических программах и играть в компьютерные игры позволит 2 Гб (2048 Мб) памяти системы.

Количество модулей

Число продающихся в наборе модулей памяти. Встречаются в продаже не только одиночные планки, но и комплекты, в комплекте может быть два модуля, четыре, шесть, восемь, все они имеют идентичные характеристики и подобранны для работы в двухканальном режиме (в паре). Применение такого двухканального режима позволяет добиться ощутимого увеличения пропускной способности, и, как следствие, увеличения скорости работы приложений. Нужно сказать, что то, что вы купили два модуля одного производителя, имеющие одинаковые характеристики, вовсе не означает то, что они смогут работать в двухканальном режиме. По этой причине, если материнская плата вашего компьютера способна поддерживать двухканальный режим работы памяти, то вам следует обратить свое внимание на комплекты, состоящие из нескольких модулей, если для вас, конечно, важна высокая скорость работы графических и игровых приложений.

Количество контактов

Число расположенных на модуле памяти контактных площадок. Число контактов на модуле должно совпадать с числом контактов в слоте для оперативной памяти, расположенных на материнской плате. Нужно помнить, что кроме одинакового числа контактов совпадать обязаны еще и “ключи” (“ключами” называют вырезы на модуле, они исключают возможность неправильной установки).

Количество ранков

Число областей памяти (ранков) модуля оперативной памяти. Ранком называют область памяти, которая образована несколькими чипами или всеми чипами модуля памяти и имеет ширину, равную 64 бита. Модуль оперативной памяти, в зависимости от конструкции, может иметь один, два или четыре ранка. Выпускаемые сегодня серверные материнские платы характеризуются наличием ограничения на общее количество ранков памяти, к примеру, если может быть установлено максимально восемь ранков и уже установлено четыре двухранковых модуля, то установить дополнительные модули в свободные слоты уже не получится, т.к. их установка вызовет превышение лимита. Вот почему одноранковые модули стоят дороже, чем двух- и четырехранковые.

Тактовая частота

от 66 до 4800 МГц

Наименьшая частота системного генератора, по ней происходит синхронизация процессов приема и передачи информации. Для DDR, DDR2 и DDR3 памяти указывается удвоенное значение тактовой частоты (две операции с данными осуществляется за один такт). Чем тактовая частота выше, тем большее количество операций в единицу времени может быть совершено, это позволяет компьютерным играм и другим приложениям работать стабильнее и быстрее. При всех остальных одинаковых характеристиках память, имеющая большую частоту, стоит дороже.

Пропускная способность

от 1600 до 38400 Мб/с

Пропускной способностью модуля памяти называют объем получаемой или передаваемой за одну секунду информации. Этот параметр имеет прямую зависимость от тактовой частоты памяти. Рассчитывается пропускная способность модуля памяти путем умножения ширины шины на тактовую частоту. Чем пропускная способность больше, тем больше скорость работы памяти, тем больше цена модуля (если остальные характеристики совпадают).

Поддержка ECC

Поддержка ECC (Error Checking and Correction) алгоритма, который дает возможность и выявлять, и исправлять случайно возникшие в процессе передачи данных ошибки (не больше, чем один бит в байте). Технологию Error Checking and Correction способны поддерживать почти все серверные платы, а также некоторые материнские платы для рабочих станций. Модули памяти с ECC стоят дороже, чем те, которые не поддерживают данный алгоритм.

Буферизованная (Registered)

Наличие буфера (специальных регистров) на модуле памяти, специальные регистры достаточно быстро могут сохранять поступившие данные, уменьшать нагрузку на систему синхронизации, освобождая тем самым контроллер памяти. Наличие специальных регистров между чипами памяти и контроллером ведет к появлению дополнительной задержки, равной один такт, при совершении операций, таким образом, более высокая надежность происходит из-за незначительного снижения быстродействия. Модули памяти, оснащенные регистрами, характеризуются высокой стоимостью, применяются они в основном в серверах. Следует помнить, что несовместимы небуферизованная и буферизованная память, а это значит, что их одновременное применение в одной системе невозможно.

Низкопрофильная (Low Profile)

Модуль памяти, который характеризуется высотой меньшего размера (по сравнению со стандартным размером). Такой размер дает возможность его устанавливать в невысоких серверных корпусах.

Радиатор

Наличие закрепленных на микросхемах памяти специальных пластин металла, эти пластины предназначены для улучшения теплоотдачи. Радиаторы обычно устанавливают на модули памяти, которые служат для работы при высокой частоте.

Поддержка XMP

XMP (eXtreme Memory Profiles) – профиль содержащий данные о расширенных и нестандартных возможностях модуля оперативной памяти. По средствам BIOS компьютера на начальном периоде загрузки осуществляется переключение в режим разгона, без настраивания всех задержек работы вручную.

Тайминги

CAS Latency, CAS – число тактов со времени запроса данных до считывания их с модуля памяти. CAS Latency, CAS – самая важная характеристика модуля памяти, она определят быстродействие памяти. С уменьшением числа CL ускоряется работа памяти.

RAS to CAS Delay – это задержка между сигналами, которые определяют адрес столбца и адрес строки.

Row Precharge Delay. Данный параметр определяет период накопления заряда, подзаряд сигнала RAS (время повторной выдачи), т.е. то время, по прошествии которого контроллер памяти снова сможет выдать сигнал инициализации адреса строки.

Activate to Precharge Delay – это наименьшее число циклов между RAS (командой активации) и Precharge (командой подзарядки) или закрытия одного и того же банка памяти.

Дополнительная информация

Напряжение питания

Необходимое для питания модуля оперативной памяти значение напряжение. Все модули рассчитаны на какое-то определенное напряжение, поэтому, выбирая этот элемент, убедитесь, поддерживает ли ваша материнская плата необходимое напряжение.

Производитель

Фирма-производитель установленных на модуле микросхем. Нередко фирмы-производители модулей памяти используют для выпуска своей продукции чипы стороннего производителя.

Количество

Число установленных на одном модуле памяти чипов. Находиться микросхемы могут с любой стороны и с обеих сторон платы.

Упаковка

Способ расположения на модуле памяти чипов. Выпускаются модули с односторонней и двусторонней упаковкой. Если на модуле микросхемы расположены с двух сторон, то модули имеют большую толщину, что препятствует их установке в некоторые системы.

Одноранговая и двухранговые память. Если ли разница?

Привет всем. Купил такую сборку –

Видюха palit gamerock 1080 8gb.

Уже после того как купил, заметил что оперативка одноранговая. Брал по принципу “бери самая дешевая, там ваще пофиг”

А щас полез копаться, оказалось что она одноранговая. Как я понял, для игр они ведь хуже примерно на 5-10% чем двухранговые, да?

Сильн критично это? А если ее хорошо разогнать? Это же вроде преимущество у одноранговых – разгон.

Изменить уже ничего нельзя, поэтому как мне компенсировать мой косяк?)

Читать еще: Флешка микро сд не определяется что делать

Одно и двухранговые ОЗУ
Доброго времени суток! :drink: Небольшой такой вопрос к вам, уважаемые знатоки/эксперты.

Есть ли разница,в какой разьем подключать память?
Представим ситуацию;материнка поддерживает 2 канальную память(DDR3).На процессоре стоит.

Упаковка и память. Разница скорости работы классов и структур
Если Int32 это структура и создается в стеке (никаких упаковок-распаковок), то почему тут на форуме.

Наследование: выделение память 2 способами – какая между ними разница
Доброй ночи! Целый год все было нормально, а этой ночью что-то случилось с моей головой. Я в.

Короче. 1 ранк – это когда на плате оперативки набрано столько чипов и такой битности, чтобы вместе составлять 64 бита. Например, если взять 8 512-мегабайтных чипов с 8-битной организацией – получим 64 бита, т.е. – один ранк. А размер этой оперативки получится 4 гига. Вот. Но на одной планке оперативки может быть распаяно 2 ранка, т.е. 16 таких чипов, каждый из таких ранков будет пользовать предоставленный канал как бы по очереди, как будто на одной планке оперативки распаять две реальные планки. Обычно это бывает распаяно на 2 стороны планки, поэтому многие как-то привыкли путать ранк и сторону, но вот ни фига это не верно, вот что. Бывает, что на 2-х сторонах распаян один ранк, а бывает что на одной стороне распаяны 2 ранка.

Короче, kraper111, мой вам совет. погоните память до 3000, или хотя бы до 2666 – и будет вам счастье.
И не выдумывайте себе проблем.

Наконец-то нашёл адекватное объяснение одно- и двух рядных типов плат памяти. Везде пишут какой-то бред про две стороны, хотя только слепой не видит, что на обеих видах плат чипы с одной стороны. Где с двух сторон, мне не попадалось. Очевидно же, что речь идёт не о сторонах платы, а о принципе организации работы чипов.

А работоспособна ли система с двумя различными в этом плане платами памяти?

Решение

..вполне.
ранки памяти только расширяют адресный диапазон и всё.

не совсем так. по-очереди шиной пользуются только каналы памяти, но не ранки.
Внутри одного модуля, 64-битная шина-данных одна и по ранкам она разводится параллельно.

Контроллёр памяти соединяется с процем одной 64-битной шиной, но если этот контроллёр двуканальный, то от контроллёра к памяти, шина становится уже 128-битной – т.е. каждому каналу по 64-битной шине. Вот здесь-то они и чередуются..

В свою очередь, на каждый канал можно повесить только 16-чипов памяти! Это ограничение связано с разрядностью сигнала “ChipSelect” CS#[3:0], 4-мя битами которого можно адресовать только 16 м/схем памяти. У 1-ранковых модулей бит(3) будет всегда сброшен в нуль, а оставшимися 3-мя адресуются 8-чипов ‘SingleRank’ модуля. Чтобы увеличить общее кол-во чипов, нужно добавлять ещё контроллёры памяти.

Вот скрин из интеловского даташина MCH..
(SDQ[63:0] = шина-данных, SCS[3:0] = выбор одного из 16-ти чипов модуля):

А вот столбцы в глобальной матрице адресуются иначе.. Их нумерация так-же совпадает для всех чипов, но зато сам чип выбирается уже 4-битным сигналом(CS#). После выбора одного из 8-ми чипов, нумерация его столбцов опять начинается с нуля – детали здесь.

Организация ‘DualRank’ модулей ничем не отличается от ‘Single’ – разница только в четвёртом бите(3) сигнала(CS#), который позволяет выбрать уже следующие чипы 8-15 модуля памяти, расширяя таким образом доступную память. При этом шины-данных чипов 0/8, 1/9, 2/10 и т.д. соединяются между собой параллельно – это не создаёт неразберихи, т.к. в каждый момент времени операции R/W производятся только с одним из чипов, который активируется текущим сигналом(CS#) с контроллёра памяти.

В двуканальном режиме выигрыш в скорости достигается за счёт того, что контроллёр памяти может не дожидаясь окончания операции с одним каналом, начинать работать со-вторым, поскольку у него своя шина-данных (см.рис.выше). В одноканальном режиме приходится ждать окончания начатой транзакации, на что теряется время. Как-то так..

В памяти есть такое понятие, как “активное окно”. Я не знаю, чьё конкретно это свойство – свойство отдельной микросхемы памяти, или свойство отдельного ранка. Но в любом случае две ранка памяти позволяют иметь в два раза больше активных окон. Соотвестственно, среднестатистически иметь чуть меньше ситуаций переключения активного окна, соответственно, тратить чуть меньше времени. Насчёт пары процентов сомневаюсь, по ощущениям эффект должен быть намного меньше

На моей памяти проводил эксперимент, когда две планки памяти ставил в один канал. На синтетическом тесте работало немного быстрее, чем вариант, когда установлена всего лишь одна планка. Причина по сути та же самая

Решение

4ori4or, это смотря в каком режиме проц читает память.
Раньше (DDR/DDR2) этих режимов было хоть-отбавляй, а сейчас оставили только два – пакетный и страничный, когда читается сразу вся/открытая страница.

Помимо запоминающей матрицы, каждый из 8-ми чипов имеет и свой/логический узел, который: защёлкивает принятый адрес, выделяет из него номер банка, переключает буферы на R/W и прочее. Если посмотреть на даташит, то чип состоит из 4-х узлов: логика, матрица, буфер и шинный-драйвер.

Когда 8-чипов собирают в ранк, то узлы всех чипов получаются соединёнными параллельно, превращаясь в: глобальную матрицу, один/большой буфер и мега-драйвер внешней шины. Соединяются все узлы, ..кроме логики, т.к. столбец выбирается отдельно и при пакетном чтении должен на автопилоте сдвигаться вправо.

Контроллёр первым посылает адрес-строки, но поскольку она глобальна, то указанная строка открывается сразу во-всех чипах глобальной матрицы. В это время, буквально все байты открытой строки сваливаются в глобальный буфер “SenseAMP”, и по-приходу строба RAS# логика защёлкивает у себя принятый адрес-строки. В зависимости от типа применяемых чипов, размер буфера варьируется в диапазоне 4-8Kb, что соответствует одной странице виртуальной памяти.

Содержимое SenseAMP назвали “Активной страницей”, т.к. именно с этого момента память становится доступной для чтения. В зависимости от режима работы контроллёра, он может взять с этой страницы: 1,2,4,8-байтов за-раз, 64-байтный пакет, или вообще всю страницу целиком (страничный обмен). Процедура чтения начинается с сигнала CAS#, который контроллёр посылается логике ранка. Причём стартовый байт выбирается уже не из глобальной матрицы, а из буфера, ..от куда данные передаются к шинному драйверу и на выход.

В свою очередь, линий передачи от буфа к дрову тоже может быть несколько: у DDR их две, для DDR2 их уже 4, DDR3 наградили аж 8-ми линиями передачи, а DDR4 вообще 16. По сути этим и отличаются поколения памяти – линиями передачи, которые задаёт 2 n -prefetch (где n – тип памяти, например DDR3 = 2 3 = 8 линий). Там есть мультиплексор на соответствующее число входов от буфера, и 1 выход к драйверу. Только теперь в игру вступает понятие DDR как-таковое – передача по обоим фронтам синхроимпульса по внешней шине.
—————————————–

На первый взгляд всё хорошо – данных в буфере много (вся/активная страница). Только есть проблемка! Данные не могут храниться в буфере вечно, и их нужно перезаряжать, что известно как регенерация. Поэтому по-истечению определённого времени (см.тайминги) логика открывает защёлки и все байтики из буфера отправляются прямиком опять в глобальную матрицу, по-своим местам. Соответственно процессор будет вынужден ждать весь цикл по-новой. И это не проблема, если читается страница целиком с последовательными адресами. А если нужно читать адреса вразброс (условные/безусловные переходы в коде)?

Для таких случаев, лучше держать открытыми сразу несколько открытых страниц, для определения которых процессор имеет “Блок предсказания переходов” и предвыборку. Сейчас 4-линии CS#[0:3] на одном канале используются уже по-иному – каждая из них может активировать 1-ранк. Например, если модуль 2-ранковый, то ему выделяются линии контроллёра CS#[0:1]. На одном канале сейчас не может быть больше двух слотов памяти, с расчётом на DualRank. У второго канала свои линии CS#[0:3] и это точная ксерокопия первого.

Таким образом 1-канальный контроллёр может держать открытыми сразу 4 DRAM-страницы, и чередовать их по-требованию, что снижает холостые такты на “RAS-to-CAS-Latency”. Стало проще – с одной страницы читаем, другую регенерируем, переключились на третью, и т.п. Но чего нельзя на одном канале, так-это читать сразу из двух ранков, хоть страницы в них и открыты. Выигрыш достигается только за счёт уменьшения задержек на открытие DRAM-страниц.

А вот 2-канальный контроллёр может без проблем читать параллельно, но только каждый свои ранки. Они полностью абстрагированы друг-от-друга, со-своими шинами и сигнальными линиями. Если имеется симметрия глобальной матрицы двух каналов, то за-такт читается сразу 128-бит данных. В сети можно встретить утверждения, что мол сейчас и в асимметричном режиме это стало возможным. Могу возразить, что это не так.

В 2-канальной асимметрии проц будет читать сразу по 128-бит, но только из промежуточного буфера контроллёра. То-есть по 128 он берёт в любом случае, но в первом (при равномерном распределении и одинаковой памяти), промежуточный буфер отключается.

Системное администрирование и мониторинг Linux/Windows серверов и видео CDN

Статьи по настройке и администрированию Windows/Linux систем

Полезное
- Карта сайта
- Мой сайт-визитка
Рубрики
- Linux
  - VoIP
  - Безопасность
  - Видеопотоки
  - Системы виртуализации
  - Системы мониторинга
- Windows
- Интересное
- Сеть и Интернет
Мета
- Войти
- RSS Feed

Немного об оперативной памяти

Новые поколения процессоров стимулировали разработку более скоростной памяти SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) с тактовой частотой 66 МГц, а модули памяти с такими микросхемами получили название DIMM(Dual In-line Memory Module).
Для использования с процессорами Athlon, а потом и с Pentium 4, было разработано второе поколение микросхем SDRAM — DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM). Технология DDR SDRAM позволяет передавать данные по обоим фронтам каждого тактового импульса, что предоставляет возможность удвоить пропускную способность памяти. При дальнейшем развитии этой технологии в микросхемах DDR2 SDRAM удалось за один тактовый импульс передавать уже 4 порции данных. Причем следует отметить, что увеличение производительности происходит за счет оптимизации процесса адресации и чтения/записи ячеек памяти, а вот тактовая частота работы запоминающей матрицы не изменяется. Поэтому общая производительность компьютера не увеличивается в два и четыре раза, а всего на десятки процентов. На рис. показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.

Читать еще: Keep alive в роутере что это

Существуют следующие типы DIMM:

72-pin SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — используется для FPM DRAM (Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory) и EDO DRAM (Extended Data Out Dynamic Random Access Memory)

100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (Single Data Rate … ) в портативних компьютерах

168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах

172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM (Double date rate)

184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM

200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM

214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM

204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM

240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM (Fully Buffered) DRAM

244-pin Mini-DIMM – для Mini Registered DIMM

256-pin SO-DIMM — используется для DDR4 SDRAM

284-pin DIMM — используется для DDR4 SDRAM

Чтобы нельзя было установить неподходящий тип DIMM-модуля, в текстолитовой плате модуля делается несколько прорезей (ключей) среди контактных площадок, а также справа и слева в зоне элементов фиксации модуля на системной плате. Для механической идентификации различных DIMM-модулей используется сдвиг положения двух ключей в текстолитовой плате модуля, расположенных среди контактных площадок. Основное назначение этих ключей — не дать установить в разъем DIMM-модуль с неподходящим напряжением питания микросхем памяти. Кроме того, расположение ключа или ключей определяет наличие или отсутствие буфера данных и т. д.

Модули DDR имеют маркировку PC. Но в отличие от SDRAM, где PC обозначало частоту работы (например PC133 – память предназначена для работы на частоте 133МГц), показатель PC в модулях DDR указывает на максимально достижимую пропускную способностью, измеряемую в мегабайтах в секунду.

Количество ранков оперативной памяти что это

Q: Как можно изменить(выставить) тайминги памяти?
A: Тайминги памяти можно выставить в Bios Setup вашей материнской платы (обычно это раздел Chipset Features Setup или Advanced Bios Features и т.п.), при использовании материнских плат Gigabyte потребуется нажать комбинацию клавиш Ctrl+F1 в Bios Setup чтобы появились скрытые настройки памяти.
Также тайминги можно изменить с помощью специальных программ:

– A64Tweaker v.0.6, как понятно из названия, программа предназначена для платформы A64. Статья по программе.

– MemSet, данная утилита позволяет изменять тайминги памяти для широкого набора системной логики Intel и AMD.

– SysTool, поддерживаются i855/i848/i865/i875/i915/i925/i945/i955 and AMD64.

– Central Brain Identifier, поддерживаются только процессоры AMD.

Ещё одним почти экзотичным методом является изменение содержимого SPD. Этот метод используется крайне редко.

Q: Подскажите, если моя материнская плата поддерживает память максимум DDR2-667 PC5300, можно поставить память DDR2-800 PC6400?
A: Можно. Модули PC6400(800МГц) обратно совместимы с более низкими частотами. Таким образом, если материнская плата поддерживает только PC5300(667МГц), то модуль памяти PC6400(800МГц) будет работать на максимально возможной частоте – PC5300(667МГц).

Q: Подскажите, если у меня стоит память DDR2-667 PC5300, можно ли добавить память DDR2-800 PC6400?
A: Можно. Модули PC6400(800МГц) обратно совместимы с более низкими частотами. Таким образом, если у вас стоит память PC5300(667МГц), то частота модуля памяти PC6400(800МГц) будет ограничена частотой, с которой работает другой установленный модуль, в рассматриваемом случае новый модуль PC6400(800МГц) будет работать как PC5300(667МГц).

Такой же принцип действует и в отношении других типов памяти и других частот. Т.е. результирующая частота будет ограничена частотой самого “медленного” модуля или же будет ограничена максимальной частотой, поддерживаемой материнской платой.

Q: Подскажите, если у меня стоит память PC6400 с таймингами 5-5-5-15, какие тайминги будут, если я добавлю ещё модуль PC6400 4-4-4-12?
A: При использовании памяти с разными таймингами на одной частоте, тайминги будут устанавливаться по самому “медленному” модулю, т.е. в данном случае это будут 5-5-5-15.

Q: Что такое SPD?
A: Специализированная микросхема «последовательного обнаружения присутствия» (Serial Presence Detect, SPD), располагается на PCB модуля памяти. Данная микросхема содержит данные о производителе, типе памяти, конфигурации модуля и его основных параметрах, а также таймингах. Информация SPD считывается системой BIOS во время загрузки компьютера и используется для выставления начальной конфигурации.

Q: Что такое EPP?
Q: Что такое SLI-Ready Memory?
A: Расширение стандарта JEDEC SPD путем внесения дополнительной информации в SPD модулей памяти. Это могут быть значения таймингов, напряжение. Информация вносится в виде специальных профилей EPP, а память, в SPD которой прошиты эти профили, называется SLI-Ready Memory. Целью внедрения EPP являлось упрощение настройки и разгона памяти. Такую память официально поддерживают материнские платы, основанные на “старших” версиях чипсетов NVIDIA: nForce 590 SLI, 680i SLI, 680i LT SLI, 780i SLI и т.д.
Для памяти типа DDR3 применяется EPP2.0. Поддержка осуществлена в новейших чипсетах Nvidia: 790i SLI, 790i Ultra SLI.

Q: Что такое XMP?
A: Аналог EPP, разработанный компаний Intel для памяти типа DDR3. Интересным отличием лишь является поддержка управления параметрами памяти из среды Windows с помощью утилиты Intel Extreme Tuning Utility. Такую память официально поддерживают только новейшие чипсеты intel: X38, X48 и др.

Q: Как протестировать оперативную память на предмет ошибок?
A: Для этого можно воспользоваться специальными программами диагностики. Одной из лучших программ для тестирования оперативной памяти(ОП) является Memtest86+ ( Ссылка загрузки ISO образа для создания загрузочного CD). Перед использованием программы создайте загрузочный CD с помощью указанного образа, затем загрузите компьютер с этого диска, при этом программа запустится автоматически и начнется проверка ОП. Чем больше циклов проверки будет сделано, тем надежнее будут результаты теста, при обнаружении даже одной ошибки проверяемую ОП можно считать не прошедшей тестирование. Для большей уверенности следует проводить тестирование в течение нескольких часов, а в исключительных случаях может потребоваться более суток.

Следует заметить, что проверяется лишь текущая конфигурация памяти при текущих настройках. Например, в случае использования оверклокерской памяти, требующей повышенного напряжения питания, обычно необходимо вручную выставлять это значение напряжения. Если этого не сделать, программы диагностики будут выдавать ошибки даже в случае, если память исправна.

На сайте www.memtest.org можно найти другие версии, в том числе для создания загрузочной дискеты или для запуска с флешки.
Кроме Memtest86+, можно воспользоваться программами TestMem4, Windows Memory Diagnostic или же проверить память в среде Windows с помощью RightMark Memory Analyzer.

О порядке диагностики можно ознакомится в статье Диагностика возможных проблем с модулями памяти, а о работе некоторых утилит тестирования можно прочитать в материале Средства проверки системной памяти.

Также неплохую подборку программ для тестирования памяти можно найти на сайте www.benchmarkhq.ru.

Q: Прошу объяснить, на что указывают эти обозначения: PC3200, 400MHz, CL3, ECC и т.д.
A:
PC3200 – число после PC показывает теоретическую пропускную способность памяти в МБайт/сек (в случае PC66, PC100, PC133 – реальную частоту шины памяти).
400MHz – эффективная частота работы памяти.
PC2-3200 – здесь цифра 2 после PC указывает лишь на то, что это DDR2.
DDR400 – число 400 указывает на значение эффективной частоты.
CL4 – число 4 указывает значение тайминга CL.
2.1V – указано значение питающего напряжения. Обычно оно указывается для оверклокерской памяти и его необходимо выставить вручную.
Unbuffered = UDIMM = U – обычный (не регистровый) модуль, предназначен для установки в “десктопные” системы, ноутбуки и т.п.
Non-ECC – модуль без ECC.
240-pin – показывает число выводов(контактов) модуля.
Original – означает, что модуль изготовлен самим производителем микросхем памяти. Иначе говоря, если для модулей Samsung или Hynix не указано Original, то это означает, что модуль изготовлен сторонней компанией, но с использованием микросхем Samsung или Hynix соответственно.
SODIMM – память для ноутбуков (Small Outline Dual Inline Memory Module).
5-5-5-15 – указаны основные тайминги памяти: CL, tRCD, tRP, tRAS.
64Mx8 – организация памяти, указывает на плотность (64M) и разрядность микросхем (8).
2Rx8 – указывает на число ранков (2) и разрядность микросхем (8).
Assy in China – модуль собран в Китае (assy – сокращение от assembly).
BOX – модуль(и) поставляются в “коробочке”(упаковке).
KIT – набор модулей (обычно из двух).
KIT of 2 = matched pair = Dual Ch– набор из двух модулей для работы в режиме Dual Channel.
(with) Heat Spreader – на модуль(и) установлены радиаторы(теплорассеиватели).
Hand-picked (chips) – память со специально отобранными микросхемами с высоким разгонным потенциалом.
6 Layers – модуль изготовлен на шестислойной PCB (печатной плате).
LL – Low Latency – память с низкими таймингами.
EL – может означать как Enhanced Latency (аналог LL), так и Eased Latency (память с обычными таймингами, термин используется у памяти Patriot)
RoHS – память соответствует директиве RoHS, ограничивающей содержание вредных веществ (свинец, кадмий и пр.).
EPP – память с поддержкой профилей EPP.
XMP – память с поддержкой профилей Intel XMP.

Параметры, относящиеся к т.н. серверной памяти:

ECC – модуль оснащен микросхемой(ами) ECC.
Reg = Registered = RDIMM – регистровый модуль (широко распространенный серверный тип памяти).
PLL – модуль оснащен микросхемой PLL (Phase Locked Loop), предназначенной для автоматической подстройки частоты.
LP = Low Profile – низкопрофильные (малой высоты) модули.
VLP = Very Low Profile – низкопрофильные (малой высоты) модули.
Single Rank – одноранговый(одноранковый) модуль.
Dual Rank – двухранговый(двухранковый) модуль.
Fully Buffered = FB-DIMM – относительно новый серверный тип памяти. Основное отличие от DDRII SDRAM Registered DIMM заключается в использовании контроллера AMB (Advanced Memory Buffer), расположенного на модуле памяти и соединенного с чипсетом.

Читать еще: Что значит удалить контент на андроиде

Как выбрать оперативную память

Характеристики оперативной памяти

Нужно знать, какая память бывает, потому что не всегда удаётся найти точно такую же модель. К счастью, разных типов памяти не много и всегда можно найти замену с подходящими характеристиками. Особенно если ищете оперативную память для ноутбука — в готовый продукт ставят OEM-комплектующие, не всегда доступные в магазинах.

Форм-фактор

Внешне платы ОЗУ отличаются форм-фактором (размером). Есть DIMM — стандартный для настольного ПК, есть SO-DIMM — в два раза меньше стандартного, предназначенный для в ноутбуков. Ах да, ещё чипы оперативной памяти могут быть распаяны прямо на материнской плате — такую не заменить. DIMM, кстати, может быть низкопрофильным, с меньшей высотой. Такой вариант нужен для тех случаев, когда кулер, охлаждающий процессор, своим радиатором перекрывает разъём оперативной памяти и для стандартной DIMM просто нет места.

Тип DDR — 1, 2, 3, 4

За редким исключением, материнской платой компьютера поддерживается только один тип (поколение) памяти: тот, который сейчас установлен.

Зная только тип памяти, выводы о производительности памяти делать не стоит. DDR4 однозначно быстрее, чем старая DDR1, но между DDR2 и DDR3, DDR3 и DDR4 разница не столь очевидна, старое поколение может оказаться быстрее. Всё дело в параметрах, о которых дальше.

Тайминги

Оперативная память — это плата с распаянными на ней чипами. Внутри чипов находятся ячейки памяти, которые без электропитания хранят данные очень недолго. Нужно все время их обновлять с помощью повторяющихся электрических импульсов определённой силы, длительности и со строго выверенными паузами. Тайминги оперативной памяти — это длительность тех самых импульсов и пауз. Кстати, они настолько короткие, что измеряются наносекундами!

Чем меньше тайминги, тем быстрее можно обновить данные, тем производительней память. Меньше = лучше. Но тайминги сами по себе ничего не решают, потому что они зависят от не менее важного параметра — тактовой частоты памяти.

Тактовая частота, частота шины, пропускная способность

Тактовая частота оперативной памяти — частота (количество импульсов в секунду), с которой работает оперативная память. Измеряется в мегагерцах. Один мегагерц — это миллион импульсов в секунду. Чем выше, тем лучше.

Ещё есть тактовая частота шины («DRAM Frequency» в программе Speccy) — частота канала, по которому идёт обмен данными между оперативной памятью и процессором. Выше — лучше.

Пропускная способность — это сколько за секунду времени может быть «пропущено» данных через плату оперативной памяти. Вычисляется умножением частоты памяти на объем данных, передаваемых за один такт. Чем выше, тем лучше. Измеряется в мегабайтах в секунду. Чаще всего производителем и магазинами указывается пиковая пропускная способность — теоретическая максимальная пропускная способность. Чтобы сразить громадными цифрами покупателя, не иначе.

Объём

С каждым годом выходят всё более ёмкие платы ОЗУ. Сейчас в магазинах вы найдете платы на 512 Мб, 1, 2, 4, 8 и 16 гигабайт. Есть и больше, но только для серверов.

На данный момент 8 Гб оперативки — это комфортный минимум для игр. 4 Гб — минимум для офисного компьютера. Чем лучше, тем больше.

Напряжение

В зависимости от моделей ОЗУ, стандартное напряжение у плат бывает в диапазоне:

Помимо «обычных» плат DDR3 и DDR4, существуют энергоэффективные версии — DDR3L и DDR4L. «L» версии по умолчанию работают при более низком напряжении.

DDR3L — 1,35 вольт.
DDR4L — 1,05 вольт.

Максимальный порог напряжений такой же, как и у обычной памяти — 1,65 и 1,4 вольта соответственно.

Как правило, оперативная память работает корректно без лишних телодвижений со стороны пользователя — требуемое напряжение, как и другие характеристики (тайминги), определяется автоматически, ничего регулировать не надо.

Но иногда всё же приходится лезть в BIOS (настройки материнской платы), чтобы выставить корректное напряжение. Такое происходит, когда в ПК установлена планка, по умолчанию работающая на напряжении выше 1,5 вольта, вместе с «обычной» или Low Energy версией. Например, у меня в ПК установлены две планки DDR3 AMD Performance Edition, которые по умолчанию работают при напряжении 1,65 V, и пара безымянных планок с Ebay, купленных на распродаже, для которых номинальное напряжение — более популярное 1,5 V. Так как напряжение ставится одно на всех, матплата решила подать 1,65 V. В принципе, при таких условиях может работать даже DDR3L, но так как я точно знаю, что планки от AMD в моём ПК отлично работают даже на 1,4 V, я выставил принудительно 1,5 вольта. Кто знает, какие компоненты стоят в безымянной памяти, вдруг именно в моём случае они не рассчитаны на такое напряжение?

Если же вы, допустим, поставите в настольный ПК платы DDR3 1,5 V и DDR3L 1,35 V, ничего страшного не произойдёт — обе будут работать под напряжением 1,5 V. С ноутбуками ситуация иная: иногда силовая часть материнских плат не рассчитана на питание большее, чем у комплектной памяти в «L» исполнении, тогда при установке более энергоёмкой платы возможна нестабильная работа и/или перегрев.

Так в чем измеряется скорость оперативной памяти?

Зная пропускную способность, становится проще понять, какая память быстрее. Остальные характеристики могут ввести в заблуждение. Например, у памяти может быть высокая частота, но медленные тайминги — в итоге пропускная способность будет такой же, как у памяти с низкой частотой, но быстрыми таймингами.

К сожалению, производители любят нагружать потребителя странными цифрами, обзывая память каждый по-своему. Поэтому специально для вас подготовил несколько табличек, которые прояснят ситуацию и позволят, зная тип оперативной памяти и одну из частот, узнать пиковую пропускную способность. По ней и решайте, какая память быстрее.

Банки оперативной памяти

Микросхемы памяти (DIP, SIMM, SIPP и DIMM) организованы на материнских платах и картах памяти в банках. Вы должны знать структуру банка памяти, его позицию на материнской плате и карте памяти.

Банки памяти

При добавлении памяти в систему нужно знать структуру банка. Кроме этого, диагностика памяти сообщает об ошибках по байтовым и битовым адресам, и вы можете использовать эти цифры для определения того, в каком банке памяти вашей системы содержится проблема. Банки оперативной памяти, обычно, соответствуют пропускной способности шины данных микропроцессора системы. Следующая таблица показывает ширину отдельных банков в зависимости от типа компьютера.

Ширина банка памяти в разных системах

Модули DIMM идеально подходят для систем Pentium (и выше), поскольку 64-разрядная ширина DIMM точно соответствует 64-разрядной шине данных процессора Pentium. Следовательно, каждый модуль DIMM представляет собой отдельный банк памяти, и их можно добавлять или удалять по одному за раз. Многие новые системы, для повышения производительности, разрабатывались с использованием согласованных пар или троек модулей памяти. Так называемые «двухканальные» и «трехканальные» проекты рассматривают два или три согласованных модуля как единый банк оперативной памяти.

Физическая ориентация и нумерация используемых на материнской плате SIMM или DIMM модулей произвольны и определяются конструкторами платы, поэтому вам может потребоваться документация вашей системы или карты. Вы можете определить компоновку материнской платы или карты адаптера тестированием, но это требует времени и может быть затруднено, особенно если у вас возникла проблема с системой.

Предостережение. Если ваша система поддерживает двух- или трехканальную память, убедитесь, что для обеспечения многоканальной работы вы используете правильные гнезда памяти. Чтобы убедиться, что вы используете правильные сокеты, обратитесь к документации.

Большинство многоканальных систем, если память не установлена таким образом, чтобы обеспечить полную многоканальную работу, все ещё работают в одноканальном режиме, но производительность ниже, чем если бы память была установлена правильно.

Некоторые системы, если установлено нечётное число модулей, а общая ёмкость двух установленных в одном канале модулей, равна размеру одного модуля в другом канале, и все модули имеют одинаковую скорость и задержку, обеспечивают двухканальную поддержку. Опять же для уточнения прочитайте документацию.

Скорость модулей памяти

При замене неисправного модуля памяти или установке нового в качестве обновления, обычно необходимо установить модуль такого же типа и скорости как и другие в системе. Вы можете установить модуль с другой скоростью (быстрее), но только если скорость заменяемого модуля равна или быстрее другим модулям в системе.

У некоторых людей, при «смешивании» модулей с разной скоростью, были проблемы. При всём многообразии материнских плат, чипсетов и типов памяти существует несколько жёстких правил. При возникновении сомнений в скорости установленных в вашей системе модулей, за дополнительной информацией обратитесь к документации по материнской плате. Установка более быстрой памяти, если другие модули в системе одинаковой, меньшей скорости, не приведёт к повышению производительности. Системы, использующие модули DIMM или RIMM, могут считывать функции скорости и тайминга модуля из специального, установленного на модуле SPD-ROM, и соответствующим образом установленного тайтинга чипсета (контроллера памяти). В этих системах, установив более быстрые модули, до предела возможностей чипсета, вы можете увидеть увеличение производительности системы.

Чтобы уделить больше внимания таймингу и надёжности, некоторые регулирующие типы памяти стандарты Intel и JEDEC, требуют определённых уровней производительности. Эти стандарты сертифицируют, что модули памяти, по таймингу и производительности, выполняются в соответствии с инструкциями Intel. Те же самые общие симптомы возникают, если память система неисправна или просто не достаточно быстра для синхронизации системы. Обычные симптомы – частые ошибки проверки на чётность или не рабочая система. Также об ошибках может сообщать POST. Если вы не уверены какие купить для своей системы чипы, обратитесь к производителю системы или авторитетным поставщикам чипов.

голоса

Рейтинг статьи